← Back to branch summary

~ubuntu-branches/debian/sid/lammps/sid

« back to all changes in this revision

Viewing changes to examples/USER/i-pi/C.opt.tersoff

  • Committer: Package Import Robot
  • Author(s): Anton Gladky
  • Date: 2015-04-29 23:44:49 UTC
  • mfrom: (5.1.3 experimental)
  • Revision ID: package-import@ubuntu.com-20150429234449-mbhy9utku6hp6oq8
Tags: 0~20150313.gitfa668e1-1
Upload into unstable.

Show diffs side-by-side

added added

removed removed

Lines of Context:
examples/USER/i-pi/C.opt.tersoff
 
1
# Tersoff parameters for various elements and mixtures
 
2
# multiple entries can be added to this file, LAMMPS reads the ones it needs
 
3
# these entries are in LAMMPS "metal" units:
 
4
#   A,B = eV; lambda1,lambda2,lambda3 = 1/Angstroms; R,D = Angstroms
 
5
#   other quantities are unitless
 
6
 
 
7
# Aidan Thompson (athomps at sandia.gov) takes full blame for this
 
8
# file.  It specifies various potentials published by J. Tersoff for
 
9
# silicon, carbon and germanium. Since Tersoff published several
 
10
# different silicon potentials, I refer to them using atom types
 
11
# Si(B), Si(C) and Si(D). The last two are almost almost identical but
 
12
# refer to two different publications. These names should be used in
 
13
# the LAMMPS command when the file is invoked. For example:
 
14
# pair_coeff * * SiCGe.tersoff Si(B).  The Si(D), C and Ge potentials
 
15
# can be used pure silicon, pure carbon, pure germanium, binary SiC,
 
16
# and binary SiGe, but not binary GeC or ternary SiGeC. LAMMPS will
 
17
# generate an error if this file is used with any combination
 
18
# involving C and Ge, since there are no entries for the GeC
 
19
# interactions (Tersoff did not publish parameters for this
 
20
# cross-interaction.)
 
21
 
 
22
# format of a single entry (one or more lines):
 
23
#   element 1, element 2, element 3, 
 
24
#   m, gamma, lambda3, c, d, costheta0, n, beta, lambda2, B, R, D, lambda1, A
 
25
 
 
26
# The original Tersoff potential for Silicon, Si(B)
 
27
# J. Tersoff, PRB, 37, 6991 (1988) 
 
28
 
 
29
Si(B)  Si(B)   Si(B)  3.0 1.0 1.3258 4.8381 2.0417 0.0000 22.956
 
30
             0.33675  1.3258  95.373  3.0  0.2  3.2394  3264.7
 
31
 
 
32
# The later Tersoff potential for Silicon, Si(C)
 
33
# J. Tersoff, PRB, 38, 9902 (1988) 
 
34
 
 
35
Si(C)  Si(C)   Si(C)  3.0 1.0 1.7322 1.0039e5 16.218 -0.59826 0.78734
 
36
             1.0999e-6  1.7322  471.18  2.85  0.15  2.4799  1830.8
 
37
 
 
38
# The later Tersoff potential for Carbon, Silicon, and Germanium
 
39
# J. Tersoff, PRB, 39, 5566 (1989) + errata (PRB 41, 3248)
 
40
# The Si and C parameters are very close to those in SiC.tersoff
 
41
 
 
42
C      C       C         3.0 1.0 0.0 3.8049e4 4.3484 -0.57058 0.72751 1.5724e-7  2.2119  346.74    1.95    0.15   3.4879  1393.6
 
43
Si(D)  Si(D)   Si(D)     3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 1.1000e-6  1.7322  471.18    2.85    0.15   2.4799  1830.8
 
44
Ge     Ge      Ge        3.0 1.0 0.0 1.0643e5 15.652 -0.43884 0.75627 9.0166e-7  1.7047  419.23    2.95    0.15   2.4451  1769.0
 
45
 
 
46
C      Si(D)   Si(D)     3.0 1.0 0.0 3.8049e4 4.3484 -0.57058 0.72751 1.5724e-7  1.97205 395.1451  2.3573  0.1527 2.9839  1597.3111
 
47
C      Si(D)   C         3.0 1.0 0.0 3.8049e4 4.3484 -0.57058 0.72751 0.0        0.0     0.0       1.95    0.15   0.0     0.0
 
48
C      C       Si(D)     3.0 1.0 0.0 3.8049e4 4.3484 -0.57058 0.72751 0.0        0.0     0.0       2.3573  0.1527 0.0     0.0
 
49
 
 
50
Si(D)  C       C         3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 1.1000e-6  1.97205 395.1451  2.3573  0.1527 2.9839  1597.3111
 
51
Si(D)  Si(D)   C         3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 0.0        0.0     0.0       2.3573  0.1527 0.0     0.0
 
52
Si(D)  C       Si(D)     3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 0.0        0.0     0.0       2.85    0.15   0.0     0.0
 
53
 
 
54
Si(D)  Ge      Ge        3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 1.1000e-6  1.71845 444.7177  2.8996  0.1500 2.4625  1799.6347
 
55
Si(D)  Si(D)   Ge        3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 0.0        0.0     0.0       2.8996  0.1500 0.0     0.0
 
56
Si(D)  Ge      Si(D)     3.0 1.0 0.0 1.0039e5 16.217 -0.59825 0.78734 0.0        0.0     0.0       2.85    0.15   0.0     0.0
 
57
 
 
58
Ge     Si(D)   Si(D)     3.0 1.0 0.0 1.0643e5 15.652 -0.43884 0.75627 9.0166e-7  1.71845 444.7177  2.8996  0.1500 2.4625  1799.6347
 
59
Ge     Si(D)   Ge        3.0 1.0 0.0 1.0643e5 15.652 -0.43884 0.75627 0.0        0.0     0.0       2.95    0.15   0.0     0.0
 
60
Ge     Ge      Si(D)     3.0 1.0 0.0 1.0643e5 15.652 -0.43884 0.75627 0.0        0.0     0.0       2.8996  0.1500 0.0     0.0
 
61
 
 
62
# Optimized Tersoff for Carbon: Lindsay and Broido PRB 81, 205441 (2010) 
 
63
#   element 1, element 2, element 3, 
 
64
#   m, gamma, lambda3, c, d, costheta0, n, beta, lambda2, B, R, D, lambda1, A
 
65
C(O)    C(O)   C(O)     3.0 1.0 0.0 3.8049e4 4.3484 -0.930 0.72751 1.5724e-7  2.2119  430.0    1.95    0.15   3.4879  1393.6
 
66